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測試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗。間歇工作壽命試驗利用芯片的反復開啟和關閉引起的反復高溫和低溫，加速芯片內各種組件材料和結合面的熱機械應力，驗證封裝、內部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機械應力能力。IOL間歇壽命試驗系統(tǒng)HK-IOL-16H
IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關鍵是控制結溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。
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